投资要点:公司发布IGBT用区熔单晶硅抛光片、高压大电流MOSFET场效应管、TVS瞬态电压抑制器和IGBT绝缘栅双极型晶体管4款新产品,展示了在电力电子器件研发、生产的技术能力,显示了公司从材料生产到器件生产的内部产业链的完善和提升,标志着公司电力电子器件从单晶到抛光,再到芯片设计生产的内部产业链发展和成熟。公司首次展示了3300V/10AIGBT样品,进度超出了市场的预期,预示着公司在IGBT技术上已经已经达到国内领先的水平。同时,公司1200V产品成熟度逐渐提高,成品率有望提升到90%左右,并且将要投入4500V和6500V产品的开发。
投资评级:预测公司2010-2012年EPS分别为0.2元、1.13元、2.2元,按照2012年20倍市盈率估值,目标价位44元,上调投资评级至“买入-A”。 ■安信证券
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