美海军发展宙斯盾替代雷达 可耐更高温度电压

　　中新网8月7日电 据中国国防科技信息网报道，氮化镓（GaN）开始取代砷化镓（GaAs），作为研制新型雷达系统和干扰机的T/R（收/发）模块等军用电子器件的材料。工业界的观察家早已预测，一旦材料更容易生产，且解决可靠性问题，新型半导体将取代老式的GaAs技术。

　　美国海军的两个重要项目：新一代干扰机（NGJ）吊舱以及空中和导弹防御雷达（AMDR）正在打开新技术应用的开关。这两个项目都需要发射高功率信号，依靠新材料才能满足性能目标。与GaAs设备相比，GaN晶体管可以在更高的温度条件下运行，在电压更大的条件下工作。

　　雷声公司刚被选中研制NGJ吊舱的技术，该公司称，新材料效率提高数倍，对于相同尺寸的器件，GaN射频功放提供的功率比GaAs多5倍。少数高功率GaN MMIC（单片微波集成电路）可用于取代大量低功率GaAs MMIC，相同功率的GaN芯片尺寸显著下降。在NGJ项目，BAE系统公司竞标失败，正在向美国政府问责办公室抗议，BAE提供的也是基于GaN的T/R模块。

　　美国海军的AMDR项目将取代洛马公司SPY-1相控阵雷达（“宙斯盾”系统核心雷达），AMDR也采用GaN技术。以上两个项目仅仅是冰山一角，一旦GaN技术成熟，将在众多领域开始取代GaAs技术。以雷声公司为例，正在培植人造钻石的片材，与基于GaN的半导体结合使用后，可以进一步增强冷却性能。如果能够实现，该技术将成为未来雷达、通信和电子战系统的核心，这些系统将比目前更小且更高效。（许鑫家）