国家存储器基地加速建设

　　(长江经济带沿线行)国家存储器基地加速建设

　　中新社武汉8月4日电 (记者 张芹)4日，在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地)，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。

　　据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。

　　这颗芯片，耗资10亿美元，由1000人团队历时2年自主研发，是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片，实现了中国存储芯片“零”的突破。

　　刁石京介绍，目前，芯片生产设备正在进行安装调试，今年第四季度，32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外，64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，计划2019年实现量产。

　　刁石京表示，中国芯片技术落后于世界，但自主研发的脚步始终没有停止，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。

　　据悉，长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同投资建设，负责国家存储器基地项目。

　　根据规划，至2023年，基地产能将达到每月30万片，并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。(完)